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2N7002
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuous drain current at T amb =25°C
Pulsed drain current
Gate-source voltage
Power dissipation at T amb =25°C
Operating and storage temperature range
Symbol
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j , T stg
Limit
60
115
800
±40
330
-55 to +150
Unit
V
mA
mA
V
mW
°C
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
Conditions
Drain-source breakdown voltage BV DSS
60
V
I D = 10 A, V GS =0V
Gate-source threshold voltage
Gate-body leakage
Zero gate voltage drain current
V GS(th)
I GSS
I DSS
1
2.5
10
1
V
nA
A
I D = 250 A, V DS =V GS
V GS =±20V, V DS =0V
V DS = 48V, V GS =0V
500
A
V DS = 48V, V GS =0V, T=125°C
On-state drain current (a)
Static drain-source on-state
voltage (a)
Static drain-source on-state
resistance (a)
Forward transconductance (a)(b)
Input capacitance (b)
Common source output
capacitance (b)
Reverse transfer capacitance (b)
Turn-on time (b)(c)
Turn-off time (b)(c)
I D(on)
V DS(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t (on)
t (off)
500
80
3.75
375
7.5
7.5
50
25
5
20
20
mA
V
mV
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 10V
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 50mA
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 50mA
V DS = 25V, I D = 500mA
V DS = 25V, V GS =0V f=1MHz
V DD ≈ 30V, I D = 200mA,
R g =25 , R L =150
NOTES:
(a) Measured under pulsed conditions. Pulse width
(b) Sample test.
300 s; duty cycle
2%.
(c) Switching times measured with 50
source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device.
Issue 5 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
2
www.zetex.com
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